Формирование и светоизлучающие свойства ионно-синтезированных нановключений Ga2O3 в матрице Al2O3/Si

Рассмотрены закономерности ионного синтеза нанокристаллических включений оксида галлия при имплантации ионов галлия и кислорода в диэлектрические пленки Al₂O₃ на подложках кремния и последующего термического отжига. Методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии с послойным профилированием исследован состав имплантированных образцов до и после отжига. Продемонстрировано образование химических связей Ga-O, причем после отжига галлий находится преимущественно в полностью окисленном состоянии. По данным рентгеновской дифракции подтверждено формирование кристаллической фазы β-Ga₂O₃. Исследование фотолюминесценции синтезированных образцов выявило наличие полосы люминесценции, которая предположительно обусловлена излучательной рекомбинацией донорно-акцепторных пар.