Высокотемпературные высоковольтные p–i–n диоды на основе слаболегированных гетероэпитаксиальных слоев AlGaAs и AlGaAsSb

В работе исследованы температурные зависимости вольт-амперных характеристик и обратного восстановления высоковольтных Al_xGa_1–xAs и Al_xGa_1–xAs_1–ySb_y p–i–n диодов, изготовленных методом жидко-фазной эпитаксии, при нагреве до 350 °С. Выяснено, что c увеличением доли Al в базовых слоях рабочие температуры диодов повышаются от 250 °С при x = 0 до 350 °С при x ~ 0.45, при этом увеличиваются прямые падения напряжения диодов. Показано, что применение малых добавок Sb в слои AlGaAs позволяет уменьшить времена обратного восстановления диодов почти на порядок, с 40–80 нс до 5–8 нс.