Моделирование влияния толщины буферного слоя планарного волновода на эффективность поглощения сверхпроводящей NbN полоской

Физическая оптика
Авторы:
Аннотация:

В данной работе представлены результаты моделирования эффективности поглощения на длине волны 1550 нм сверхпроводящей нанополоской NbN, интегрированной с одномодовым волноводом Si3N4, в зависимости от толщины буферного слоя SiO2. Результаты моделирования для прямых, U- и W-образных полосок показывают, что при идеальной планаризации (без верхнего буферного слоя) коэффициент поглощения на единицу длины составляет 0,07 ,0,031 и 0,11 дБ/мкм соответственно.