Высокоиндексные волноводы для распространения электромагнитных волн с большим поперечным угловым моментом

В настоящей работе мы предложили новую конфигурацию волновода для реализации кремниевого оптического изолятора (ОИ) на микрочипе с использованием магнитооптического эффекта в удобной для практической реализации геометрии Фойта. При разработке волновода мы основывались на структуре с нарушением зеркальной симметрии. Благодаря нарушению симметрии в продольной плоскости центрального сечения рассматриваемой волноводной структуры и магнитному полю, приложенному перпендикулярно волновому вектору, можно получить необходимую удельную фазу для конструирования ОИ на основе интерферометра Маха–Цендера. Главное отличие данной работы от известных подходов состоит в реализации ОИ только на кремнии и использование магнита, который не требует источников питания.