Изменение излучательных и низкочастотных шумовых характеристик УФ светодиодов на основе InGaN/GaN квантовых ям при температуре жидкого азота
Авторы:
Аннотация:
Представлены результаты температурных исследований светодиодов УФ диапазона на основе структур с InGaN/GaN квантовыми ямами. При комнатной температуре и температуре жидкого азота измерялись вольт-амперные характеристики, частотные зависимости плотности низкочастотного шума, внешней квантовой эффективности, оптической мощности. Рассмотрены возможные физические механизмы формирования низкочастотного токового шума, транспорта носителей, и влияние на внешнюю квантовую эффективность процессов излучательной и безызлучательной рекомбинации при двух температурах.