Эволюция кристаллической микроструктуры гибридных подложек SiC/Si во время роста методом замещения атомов

Гибридные структуры 3С-SiC/Si выращены методом согласованного замещения атомов на подложках Si(111), легированных фосфором или бором. Эволюция микроструктуры в процессе роста анализировалась для интервала времени 1–40 минут. Результаты показывают реконструкцию пленок 3C-SiC(111) на 3–5 минуте роста. Обнаружено отличие в деформации пленки SiC на подложках Si p- и n-типов проводимости.