Исследование транспортных и рекомбинационных свойств контактной системы a-Si:H(i)/ μc-Si:H(n) для фотоэлектрических преобразователей на основе кремния

Физическая электроника
Авторы:
Уваров Александр Вячеславович Баранов Артем Игоревич Максимова Алина Андреевна Вячеславова Екатерина Александровна Гудовских Александр Сергеевич
Аннотация:

Данная статья посвящена исследованию контактных и рекомбинационных свойств комбинации слоев a-Si:H(i)/μc-Si:H(n) на подложках кристаллического кремния. Проведено численное моделирование зонной диаграммы, а также экспериментальное исследование транспортных свойств на кремниевой подложке. Определены оптимальные значения толщин контактных слоев, позволяющие получить низкую скорость
рекомбинации носителей и контактное сопротивление.