Излучениеближнего и дальнего инфракрасного диапазона из квантовых ям GaAs/AlGaAs при межзонном оптическом возбуждении

В настоящей работе представлены результаты экспериментальных исследований низкотемпературной примесной фотолюминесценции (ФЛ) из структур с квантовыми ямами (КЯ) Gaas/alGaasn-типа в ближней и дальней инфракрасной (ИК) областях спектра. В спектрах ФЛ в ближнем ИКдиапазоне проявляются оптические переходы из основного состояния донора в КЯ в нижнюю под-зону дырок в КЯ. опустошение основного состояния донора благодаря этим переходам позволило нам наблюдать фотолюминесценцию в терагерцовом диапазоне, связанную с переходами электро-нов из первой электронной подзоны на состояния донора, а также с внутрицентровыми оптическими переходами. Результаты исследования ФЛ в ближнем и дальнем ИК диапазонах дополняют друг друга и хорошо согласуются с результатами исследования терагерцовой фотопроводимости и теоретическими расчетами.