Рекомбинация и захват электронов в лазерных наноструктурах с квантовыми ямами InGaAsSb/AlGaAsSb
Авторы:
Аннотация:
Исследована динамика фотолюминесценции в пикосекундном и наносекундном временных диапазонах в квантовых ямах InGaAsSb/AlGaAsSb с различными составами барьеров квантовых ям. Определены времена захвата носителей заряда в квантовые ямы, времена энергетической релаксации, время жизни по отношению к резонансной оже-рекомбинации при различных уровнях оптического возбуждения. Обсуждается влияние температуры и дизайна квантовых ям на скорость оже-рекомбинации.