Дальнее инфракрасное излучение горячих двумерных электронов в одиночном гетеропереходе AIGaN/CaN

Экспериментально исследована спонтанная эмиссия излучения дальнего инфракрасного излучения из одиночного гетероперехода AlGaN/GaN при разогреве двумерных электронов в латеральном электрическом поле. На основании анализа вольт-амперных характеристик определена зависимость температуры горячих электронов от прикладываемого электрического поля. Показано, что наблюдаемая эмиссия излучения хорошо описывается с помощью модели теплового излучения горячих двумерных электронов. Обсуждается влияние эффекта накопления неравновесных оптических фононов на интегральную интенсивность излучения.