Статьи по ключевому слову "ion implantation"

Особенности изовалентного легирования арсенида галлия ионами висмута

Объемные свойства полупроводников
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 1.1
  • 14
  • 2129
  • Страницы: 20-24

Особенности накопления структурных нарушений при имплантации ионов разных масс в альфа-оксид галлия при малых уровнях повреждения

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 4
  • 31
  • 2911
  • Страницы: 42-49

Dislocation-related photoluminescence in self-implanted silicon with different surface orientation

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.1
  • 13
  • 3055
  • Страницы: 162-166

Энергетический спектр и свойства сульфида свинца с имплантированным кислородом

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2015
  • Выпуск: 1
  • 406
  • 7675
  • Страницы: 9-20

Методика расчета молекулярного эффекта при ионном облучении на основе пороговой плотности каскадов смещений

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2009
  • Выпуск: 2
  • 0
  • 7211
  • Страницы: 29-33

Влияние плотности каскадов смещений на топографию и сдвиг поверхности нитрида галлия, облучаемого атомарными и молекулярными ионами

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2012
  • Выпуск: 2
  • 0
  • 7764
  • Страницы: 55-61

Молекулярно-динамическое моделирование образования дефектов при облучении GaN атомарными и молекулярными ионами

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2012
  • Выпуск: 2
  • 0
  • 7518
  • Страницы: 49-55

Особенности образования дефектов в кремнии при бомбардировке молекулярными ионами

Физическая электроника
  • Год: 2012
  • Выпуск: 3
  • 0
  • 7793
  • Страницы: 64-70

Сообщить автору об опечатке:

Адрес страницы с ошибкой:

Текст с ошибкой:

Ваш комментарий или корректная версия: