Статьи по ключевому слову "обратное восстановление диодов"
Зависимость статических и динамических характеристик высоковольтных импульсных p–i–n диодов от состава гетероэпитаксиальных AlxGa1−xAs1−ySby базовых слоев
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 1.1
- 6
- 527
- Страницы: 140-144
Высокотемпературные высоковольтные p–i–n диоды на основе слаболегированных гетероэпитаксиальных слоев AlGaAs и AlGaAsSb
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 1.1
- 12
- 1974
- Страницы: 155-159