НТВ Физико-математические науки
Научно-технические ведомости СПбГПУ. Физико-математические науки Cанкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
ru Русский
  • en Английский
Версия для слабовидящих
Издается с 2008
ISSN 2304-9782
ISSN 2618-8686
ISSN 2405-7223
  • О журнале
    • Меню
    • Редакционная коллегия
    • Главный редактор
  • Архив выпусков
  • Авторам
    • Меню
    • Содержание и структура статьи
    • Оформление статьи
    • Этика научных публикаций
    • Искусственный интеллект
    • Подача и рассмотрение статьи
    • Рецензирование
    • Аннотация к статье
    • Список литературы
    • Оформление рисунков
    • Лицензионное соглашение
    • График выхода журналов
  • Новости
  • Вопрос-ответ
  • Контакты
Подать статью

Статьи по ключевому слову "высоковольтный p0–i–n0-переход"

Зависимость статических и динамических характеристик высоковольтных импульсных p–i–n диодов от состава гетероэпитаксиальных AlxGa1−xAs1−ySby базовых слоев

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
Солдатенков Федор Юрьевич Пуговкин А.А. Иванов А.Е. Малевский Д.А. Левин С.В.
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 1.1
  • 6
  • 2124
  • Страницы: 140-144

Высокотемпературные высоковольтные p–i–n диоды на основе слаболегированных гетероэпитаксиальных слоев AlGaAs и AlGaAsSb

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
Солдатенков Федор Юрьевич Иванов А.Е. Малевский Д.А. Левин С.В.
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 1.1
  • 14
  • 2333
  • Страницы: 155-159
Научно-технические ведомости СПбГПУ. Физико-математические науки
Персональные данные распространяются с согласия субъектов персональных данных
Адрес
Политехническая ул., 29, 4 корпус, 322. Санкт-Петербург, Россия, 195251
Контакты
+7 (812) 552-62-16
physics@spbstu.ru
Политика обработки «cookie» Политика конфиденциальности
🍪
Мы используем cookies и рекомендательные технологии для улучшения работы сайта. Продолжая использовать этот сайт, Вы соглашаетесь на использование файлов cookie .
🍪
Мы используем cookies и рекомендательные технологии для улучшения работы сайта. Продолжая использовать этот сайт, Вы соглашаетесь на использование файлов cookie.