Последние выпуски
- 2025, Том 18 Выпуск 4 Полный текст
- 2025, Том 18 Выпуск 3.2 Полный текст
- 2025, Том 18 Выпуск 3.1 Полный текст
- 2025, Том 18 Выпуск 3 Полный текст
Волошина Елена Николаевна
Место работы
Шанхайский Университет
г. Шанхай, Китай
Публикации
Orcid ID
0000-0002-1799-1125
Моделирование начальных этапов формирования смачивающего слоя индия на As-стабилизированной подложке GaAs из первых принципов
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.1
- 10
- 4167
- Страницы: 193-197
Моделирование адсорбции In на подложках AlxGa1-xAs в течение первых стадий капельной эпитаксии
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 3.1
- 14
- 2886
- Страницы: 100-104