Две полосы в спектре фотолюминесценции от сверхрешетки InGaN/GaN, заключенной в нитевидный нанокристал GaN

В данной работе мы представляем описание синтеза и оптических свойств сверхрешетки InGaN/GaN внедренной в нитевидный нанокристалл GaN. Синтез массива нитевидных нанокристаллов осуществлялся методом молекулярно-пучковой эпитаксии на кремниевой подложке. Оптические свойства наноструктур на основе нитридных нитевидных нанокристалов были изучены методом низкотемпературной фотолюминесценции. Нитевидные нанокристаллы GaN с квантовыми дисками InGaN демонстрируют две отчетливые полосы излучения в спектре фотолюминесценции. Полосы соответствуют излучению от квантовых дисков InGaN. Возникновения второй полосы в спектре фотолюминесценции может быть связано с проникновением In в барьер GaN.