Мемристорный эффект в гетероструктурах на основе нитевидных нанокристаллов нитрида галлия на кремнии

Проведены экспериментальные и теоретические исследования диодных гетероструктур на основе нитевидных нанокристаллов GaN, синтезированных на кремнии. Измерения вольтамперных характеристик показали закономерность их поведения, характерную для обращенных диодов, в диапазоне от -3 до +3 В, и появление петли гистерезиса при бóльших смещениях. Впервые было показано, что в таких структурах может наблюдаться эффект резистивного переключения биполярного типа. Продемонстрирована способность соответствующих мемристорных ячеек сохранять свое состояние в течение не менее 65 ч при нормальных условиях, а также выдерживать продолжительные циклы считывания без потери информации.