Влияние быстрого термического отжига на свойства структур GaPN (As), выращенных на кремниевых подложках

Уникальные свойства разбавленных нитридов, таких как GaPN (As), делают их перспективными для использования в солнечных элементах и оптоэлектронных приборах. В данной работе мы исследуем влияние быстрого термического отжига на структурные и оптические свойства твердых растворов GaPN (As). Гетероструктуры GaPN (As) были выращены на кремниевых подложках методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией. Влияние быстрого термического отжига на свойства этих материалов было изучено с помощью фотолюминесцентной спектроскопии и рентгеноструктурного анализа.