Высокочувствительные и малошумящие ультрафиолетовые фотодетекторы на основе GaN

В настоящей работе представлены ультрафиолетовые фотодетекторы типа металл-полупроводник-металл на основе ультратонких эпитаксиальных слоев GaN, выращенных на подложках c-Al₂O₃. Вольт-амперные характеристики устройств были исследованы в темноте и при ультрафиолетовом освещении, в результате чего были определены их чувствительность и эквивалентная мощность шума — 156 мА·Вт^-1 и 0.4·10^-22 Вт·Гц^-0.5 соответственно при напряжении 1 В.