Влияние буферного слоя GaAs на характеристики нитевидных нанокристаллов GaAs, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках Si (111)
Авторы:
Аннотация:
Показана возможность осаждения коллоидных наночастиц на аморфный слой GaAs, выращенный на поверхности Si (111) подложек. С использованием полученных подложек методом молекулярно-пучковой эпитаксии продемонстрирован прямой рост однородных по размеру GaAs нитевидных нанокристаллов с диаметром менее 20 нм. Установлено, что формируемые нитевидные кристаллы обладают вюрцитной кристаллической структурой с низким количеством дефектов упаковки.