Рост нитевидных нанокристаллов GaN с вставками InN с помощью МПЭ-ПА
Авторы:
Аннотация:
Представлены результаты по росту и фотолюминесцентным свойствам InN вставок в GaN нитевидных нанокристаллах. Установлено, что такие InN вставки демонстрируют фотолюминесценцию в диапазоне 2,9−3,35 эВ, при этом наиболее интенсивная линия излучения при 3,17−3,23 эВ связывается с излучением от монослойных InN вставок на основании сравнительного спектрального анализа. Полученные результаты могут представлять интерес для создания источников одиночных фотонов и вигнеровских квантовых точек, способных работать в диапазоне от гелиевых до более высоких температур.