При использовании метода жидкофазной эпитаксии из галлиевых расплавов обычно возникают трудности получения эпитаксиальных слоев n-типа проводимости в высокотемпературном диапазоне выращивания, особенно с использованием графитовой кассеты. Одной из возможностей очистки эпитаксиального слоя от фоновых примесей и снижения концентрации антиструктурных дефектов является использование Bi-содержащих растворов-расплавов. Высокая начальная температура кристаллизации необходима для получения толстого (50 мкм и более) AlGaAs эпитаксиального слоя. Относительно толстые градиентные слои Al_xGa_1−xAs используются для получения фотоэлектрических преобразователей с боковым вводом лазерного излучения, а также в светоизлучающих диодах высокой яркости. При начальной температуре эпитаксии  выше 850 °C из жидкой фазы в графитовой кассетe преднамеренно нелегированные слои GaAs и AlGaAs изменяют тип проводимости с n- на p-тип. В данной работе показано, что добавление висмута в расплав  позволяет сохранить исходную проводимость n-типа выращиваемых AlGaAs слоев, что упрощает технологический процесс создания структуры фотоэлектрического устройства с заданным уровнем легирования эпитаксиальных слоев. Показано, что с увеличением содержания висмута в расплаве галлия концентрация примесных центров снижается.