Увеличение ширины полосы модуляции вертикально-излучающих лазеров 1550 нм при акцепторном легировании активной области

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
Авторы:
Аннотация:

Исследовано влияние легирования активной области вертикальноизлучающих лазеров (ВИЛ) диапазона 1550 нм примесью p-типа на статические и динамические параметры лазера. При использовании легирования  показано двукратное увеличение пиковой интенсивности фотолюминесценции гетероструктуры активной области, связанное с увеличением дифференциальной эффективности. Изготовленные лазеры демонстрируют  одномодовое излучение с пороговым током 1,9−2,0 мА при комнатной температуре. Показано снижение максимальной выходной мощности ВИЛ с 5,5 мВт до 3,5 мВт, связанное с увеличением оптических потерь при  легировании активной области лазера. В результате применения легирования p-типа достигнуто увеличение предельной частоты модуляции с 7,2 ГГц до 8,9 ГГц.