Нитевидные нанокристаллы нитрида галлия являются важными компонентами для оптоэлектронных устройств УФ- и видимого диапазонов следующего поколения, производительность которых может быть повышена с помощью деформационной инженерии. Актуальным является исследование индуцированных упругими деформациями физических явлений в нитевидных нанокристаллах. В настоящей статье изучаются  деформационные особенности спектра комбинационного рассеяния в отдельном горизонтально-лежащем нитевидном нанокристалле GaN, в котором упругая деформация была создана с помощью зонда атомноилового микроскопа. Было проведено двумерное картирование сигнала комбинационного рассеяния с субмикронным пространственным разрешением в двух поляризационных конфигурациях. Форма и  интенсивность мод комбинационного рассеяния были проанализированы с учетом уровня деформации и поляризации возбуждения. Была проведена оценка деформационного потенциала с помощью анализа  вызванного деформацией уширения мод A₁ и E₂H.