В настоящей работе изучено влияние подсветки красным светодиодом на положительное магнетосопротивление высокоподвижного двумерного электронного газа в селективно-легированной гетеростуктуре GaAs/AlAs  при температуре T = 4.2 К в магнитных полях B < 1 Тл. Обнаружено значительное увеличение положительного магнетосопротивления после подсветки. Показано, что увеличение положительного магнетосопротивления  в исследуемой двумерной электронной системе после подсветки обусловлено увеличением квантового времени жизни.