Синтез Mg2Si на кремниевых кристаллах с различным аспектным соотношением

В данной работе были рассмотрены особенности синтеза силицида магния (Mg₂Si) на кремниевых кристаллах с различным аспектным соотношением. Получение кристаллов кремния с различным сечением  осуществлялось методом металлстимулированного химического травления кремниевых монокристаллических подложек, легированных бором, с ориентацией (100). Синтез осуществлялся в условиях сверхвысокого  вакуума методами модифицированной реактивной эпитаксией со сверхбыстрым осаждением магния и твердофазной эпитаксией. Температура формирования лежала в пределах 390–340 °C. В результате получились  коаксиальные гетероструктуры типа «ядро-оболочка» Si/Mg₂Si с толщиной покрытия Mg₂Si 500–1200 нм в зависимости от метода формирования.