Модовый анализ оптических микрорезонаторов GaP

Несмотря на высокий уровень развития кремниевой технологии, эффективность фотонных устройств на основе кремния ограничена свойствами материала. Материалы группы III-V более применимы для создания  устройств такого типа, а их изготовление в форме нитевидных нанокристаллов (ННК) обеспечивает совместимость с кремниевой технологией. GaP(NAs), благодаря перестраиваемой запрещенной зоне и высокому  показателю преломления, является перспективной системой для оптоэлектроники. В работе был исследован модовый состав резонатора Фабри-Перо на основе ННК GaP. Результаты моделирования показали, что  увеличение диаметра приводит к росту числа оптических мод с различным распределением света за счет поперечного типа моды. Анализ коэффициента добротности показывает рост его значений с увеличением  диаметра структур.