Исследование фотолюминесцентных свойств докритических квантовых точек InAs/GaAs, сформированных на структурированных подложках

В данной работе проведены исследования оптических свойств квантовых точек InAs, полученных путем осаждения докритических толщин на наноструктурированную поверхность GaAs(001). Для наноструктурирования  подложки была использована методика, основанная на двухстадийной термодесорбции собственного оксида GaAs в потоке молекулярного мышьяка. Результаты экспериментальных исследований показали  возможность формирования квантовых точек на структурированных поверхностях при эквивалентных толщинах осаждения в диапазоне 0,5–1,5 МС. В этом случае квантовые точки формируются преимущественно в  сформированных на поверхности углублениях и имеют высокую неоднородность размеров. Измерения методом фотолюминесцентной спектроскопии показали наличие квантовых точек, излучающих в широком  диапазоне длин волн (900–1100 нм), только для образца с эквивалентной толщиной осаждения 1,5 МС InAs. Мы предполагаем, что при меньших толщинах образующиеся квантовые точки становятся меньше  минимально допустимых размеров, в т.ч. из-за эффектов сегрегации при заращивании. Результаты исследования также показали, что использование структурированной поверхности позволяет подавить образование  смачивающего слоя – в спектрах фотолюминесценции присутствуют только пик, отвечающий излучению локальных двумерных структур, по-видимому, образовавшихся на морфологических неоднородностях вне отверстий.