Комбинированный подход к созданию шаблона на подложке SiO2/Si с использованием ионных пучков и жидкостного травления

В данной работе представлены результаты исследований влияния обработки подложек SiO₂/Si(001) с помощью комбинации методов фокусированных ионных пучков (ФИП) и жидкостного травления на возможность  формирования в подложке пирамидальных углублений и их геометрические характеристики. Показано, что травление образцов, модифицированных ФИП, только в КОН приводит к образованию пирамидальных  углублений, прикрытых сверху слоем, предположительно, пористого кремния, формирующего замкнутые полости. Было продемонстрировано, что использование изотропного травителя для кремния перед  анизотропным травлением позволяет избежать формирования слоя с пористым кремнием.