Создание оптических изолированных микрорезонаторов GaP(NAs) на кремнии

В статье представлена технология формирования оптических микрорезонаторов, основанных на системе полупроводниковых материалов GaP(NAs) на кремниевой подложке. Впервые разработан режим плазмохимического травления, при котором достигается аспектное соотношение 5:1 при травлении слоев, состоящих из элементов III – V групп, и низкая шероховатость боковых стенок. Предложен технологический подход, обеспечивающий оптическое разделение микрорезонатора с кремниевой подложкой, что важно для эффективной локализации света в фотонной структуре. Проведенные оптические исследования и численный расчет показали наличие модуляций в спектрах микрофотолюминесценции микроструктур; модуляции обусловлены возникновением резонансов Фабри – Перо. Выполненное исследование является важным шагом в развитии технологии создания и применения комбинированных структур с оптическими волноводами на кремниевой основе.