Электронное облучение как метод управления люминесценцией в гексагональном нитриде бора

Рост структуры, поверхность и интерфейсы
Авторы:
Аннотация:

Точечные дефекты в монокристаллическом гексагональном нитриде бора (h-BN), являющиеся центрами люминесценции, рассматриваются как потенциальные источники одиночных фотонов. В работе  продемонстрировано, что облучение электронным пучком в сканирующем электронном микроскопе может приводить к увеличению интенсивности люминесценции в ультрафиолетовой части спектра, что может служить перспективным методом для контролируемого локального управления люминесценцией дефектов в гексагональном нитриде бора при правильном выборе энергии и плотности потока электронов.