Исследование наноразмерных структур с использованием эффекта внутреннего трения

Целью данной работы является исследование электрически активных дефектов в планарных (Si-SiO₂) и изопланарных (Si-SiO₂-Si₃N₄) кремниевых электретных структурах методом внутреннего трения Q^–1. Для проведения исследований использовалась установка Q^–1, работающая по принципу обращенного маятника. Благодаря смещению пиков на релаксационных спектрах Q^–1 были определены энергии активации и частотные факторы термоупругих процессов. Также, на температурной зависимости Q^–1 были обнаружены дополнительные локальные максимумы, образующиеся после электризации структур. Предполагается, что это может быть связано с взаимодействием заряженных частиц, полученных в результате облучения в коронном разряде, с центрами захвата, которыми являются гидридные Si-H и гидроксильные Si-OH группы, а также с глубокими центрами захвата на интерфейсе SiO₂-Si₃N₄. Результаты работы показывают, что разработанный комплексный метод исследования для определения основных электрофизических параметров электретных структур на основе оксида и нитрида кремния позволяет определять оптимальные способы электризации структур Si-SiO₂ и Si-SiO₂-Si₃N₄ для их практического применения в качестве активных элементов электретных сенсоров и актюаторов.