Особенности изовалентного легирования арсенида галлия ионами висмута

Объемные свойства полупроводников
Авторы:
Аннотация:

В работе показана возможность легирования арсенида галлия висмутом методом ионной имплантации, а также влияние быстрого термического и импульсного лазерного отжига на эти структуры. Представлены  результаты исследования профилей распределения висмута по глубине в сравнении с теоретическими расчетами. Влияние висмута на оптические свойства арсенида галлия исследовано методами спектроскопии пропускания и отражения. Показано, что введение висмута приводит к уменьшению ширины запрещенной зоны арсенида галлия.