Фототок в МДП-структурах на основе германосиликатных плёнок

Исследован фототок в структурах металл-диэлектрик-полупроводник (МДП) на основе германосиликатных плёнок на кремнии n-типа с прозрачным верхним электродом из оксида индия и олова. Первая структура содержала в качестве диэлектрика слой GeO[SiO₂], а вторая содержала ещё слой Ge толщиной 3 нм, отделённый от подложки кремния туннельно-тонким слоем SiO₂. Получена высокая фоточувствительность обеих структур, как исходных так и после отжига 500 °C, 30 минут. Предложен механизм возникновения фототока, основанный на поглощении фотонов в обеднённом слое кремния и туннелировании носителей заряда через диэлектрик. В случае второй структуры предположен дополнительный механизм возникновения фототока, связанный с поглощением фотонов в слое Ge. Исследованные МДП-структуры можно использовать в простых, недорогих фотодиодах, не требующих создания p–n-переходов.