Формирование анизотропных ориентирующих слоев на основе ITO для жидкокристаллических устройств
Авторы:
Аннотация:
В текущей работе рассмотрена возможность изменения анизотропии смачивания тонких пленок на основе оксидов индия и олова (ITO) при помощи лазерной абляции CO2-лазером. Среднее значение анизотропии угла смачивания для чистых ITO пленок составило 31,6°, а для ITO с лазерно-осажденными углеродными нанотрубками среднее значение этого параметра равно 56,5°. Возможность перестройки анизотропии смачивания при помощи лазерной абляции и осаждения углеродных нанотрубок позволяет рассматривать тонкие пленки на основе ITO в качестве электрических контактов и ориентирующих покрытий при разработке жидкокристаллических устройств с конфигурацией скрученного нематика.