Устойчивость неоднородного стационарного распределения потенциала в диоде со встречными потоками электронов и ионов

Статья продолжает исследование устойчивости стационарных состояний диода со встречными потоками электронов и ионов. В предыдущей работе было получено интегро-дифференциальное уравнение для возмущения потенциала в режиме без отражения заряженных частиц от потенциальных барьеров. Для однородного распределения потенциала было найдено его аналитическое решение. В этой статье мы предлагаем полуаналитический метод решения этого уравнения в случае неоднородных распределений потенциала. С помощью этого метода мы исследовали устойчивость стационарных решений для длин диода вплоть до 10π/√2 и показали, что все они неустойчивы. Численное моделирование эволюции возмущения подтвердило результаты, полученные аналитически.