Вертикально-излучающие лазеры спектрального диапазона 1300 нм с активной областью на основе сверхрешетки InGaAs/InGaАlAs для передачи данных на большие расстояния

Представлены результаты комплексных исследований статических и динамических характеристик вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 1300 нм, созданных по технологии спекания пластины  оптического резонатора с пластинами распределенных отражателей, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Лазеры с диаметром мезы заращенного туннельного перехода 5 мкм  продемонстрировали одномодовую лазерную генерацию в широком температурном диапазоне с максимальной выходной мощностью 6 мВт и 1,5 мВт при 20 °С и 85 °С соответственно. Достигнута максимальная  частота модуляции 8 ГГц при температуре 20 °С. Дальнейшее увеличение температуры до 85 °С приводит к уменьшению максимальной частоты модуляции до ~6 ГГц на уровне модуляции -3дБ.