Свойства полупроводниковой структуры с p–n-переходом, сформированным в пленке пористого кремния под действием лазерного излучения

Показана возможность формирования p–n-перехода в пленке пористого кремния с помощью импульсного лазерного излучения. Методами спектроскопии комбинационного рассеяния света и фотолюминесценции исследованы особенности трансформации микроструктуры пленки пористого кремния под действием лазерного излучения. Установлено, что воздействие одиночного лазерного импульса длительностью 18 нс с длиной волны 355 нм и энергией импульса в диапазоне 85 – 200 мДж приводит к исчезновению аморфизированной фазы и увеличению размеров кристаллитов внутри пленки пористого кремния. В статье показано, что p–n-переход формируется под действием излучения лазера внутри наиболее крупных кремниевых кристаллитов пленки пористого кремния. Для изучения особенностей электрофизических характеристик полученной полупроводниковой структуры применялись методы измерения вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик. Полученный p–n-переход является резким. Механизмы токопрохождения имеют сложный характер и в основном определяются процессами генерации и рекомбинации носителей в области пространственного заряда p–n-перехода с участием энергетических уровней ловушек.

Ссылка при цитировании: Трегулов В.В., Степанов В.А., Мельник Н.Н. Свойства полупроводниковой структуры с p–n-переходом, сформированным в пленке пористого кремния под действием лазерного излучения // Научно-технические ведомости СПбГПУ. Физико-математические науки. 2018. Т. 11. № 1. С. 18 – 25. DOI: 10.18721/JPM.11102