Методика исследования поверхностных состояний в резких несимметричных гетероструктурах CdS/p-Si
Авторы:
Аннотация:
Представлена методика определения энергетической плотности поверхностных состояний в резких несимметричных гетероструктурах, основанная на измерении высоко- и низкочастотной вольт-фарадных характеристик. Методика может применяться в случае, когда заряд поверхностных состояний зависит от напряжения постоянного обратного смещения. Приведены результаты исследования гетероструктуры CdS/p-Si, изготовленной методом гидрохимического осаждения.