Фотоиндуцированное поглощение в структурах с квантовыми точками Ce/Si

Исследовано фотоиндуцированное поглощение света в среднем инфракрасном диапазоне в нелегированных структурах с квантовыми точками Ge/Si при межзонном фотовозбуждении неравновесных носителей заряда. В спектрах фотоиндуцированного поглощения имеется ряд поляризационно-зависимых пиков, связанных с внутризонными переходами дырок между дискретными уровнями энергетического спектра, а также с фотоионизацией квантовой точки. В системе Ge/Si впервые экспериментально обнаружены спектральные особенности, связанные с оптическими переходами дырок из возбужденного состояния квантовых точек.