Структурные и морфологические особенности гетероструктур InGaAs/InP фотодетекторов с длиной волны отсечки 2.5 мкм с различным профилем метаморфного буферного слоя
In0,83Ga0,17As/InP PIN-фотодиодные гетероструктуры с различными профилями изменения состава метаморфных буферных слоев были выращены методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Изображения просвечивающей электронной микроскопии в геометрии поперечного сечения были проанализированы для оценки плотности прорастающих дислокаций. Рельеф поверхности гетероструктур и шероховатость были исследованы с помощью атомно-силовой микроскопии. Среди исследованных образцов минимальными значениями плотности дислокаций и
шероховатости поверхности характеризуется гетероструктура с метаморфным буферным слоем линейного профиля с градиентом состава 0,18 отн. ед./мкм, рост которого завершался in situ высокотемпературным отжигом. Распределение потенциала по поверхности скола гетероструктур было исследовано методом сканирующей Кельвин-зонд-микроскопии.