Формирование упорядоченных квантовых точек InAs на структурированных поверхностях GaAs (111)B

Проведено исследование процессов селективно-позиционированного роста квантовых точек (КТ) InAs на поверхностях GaAs (111)B, структурированных методом фокусированных ионных пучков (ФИП). Установлено, что КТ стремятся зарождаться в вершинах пирамидальных углублений, образующихся после отжига ФИП-модифицированных поверхностей. Средняя степень локализации КТ в значительной степени зависит от числа проходов ФИП и имеет максимальное значение 0,84, 0,7 и 0,92 для массивов с расстояниями между углублениями 2, 1 и 0,5 мкм соответственно. Средний размер и поверхностная плотность КТ также зависят от числа проходов ФИП, имея преимущественно немонотонный характер. Показано, что фотолюминесцентное излучение КТ InAs, выращенных на поверхности GaAs (111)B, находится в спектральном диапазоне 950−1150 нм при температуре измерения 77 К.