Локализованное формирование капель Ga на нанопрофилированных подложках кремния

В работе представлены результаты исследований влияния режимов обработки подложек SiO₂/Si сфокусированным ионным пучком на последующее получение наноструктур Ga методом капельной эпитаксии. Показано, что увеличение проходов пучка и дозы приводит к расширению пирамидальных углублений, а также влияет на локализацию капель Ga. Установлено, что использование дополнительной предварительной обработки подложек в плавиковой кислоте положительным образом влияет на локализацию капельных структур Ga в пирамидальных углублениях. Максимальная степень заполнения наблюдалась при размере углублений приблизительно равных 350 нм.