Фотодетектор на основе кремния с контактным слоем Mg2Si для коротковолнового ИК диапазона

Физика конденсированного состояния
Авторы:
Чернев И.М. Субботин Е.Ю. Козлов А.Г. Синотова С.А. Приходченко А.В. Лембиков А.О. Прокопьева Г.А. Горошко Д.Л. Галкин Н.Г.
Аннотация:

Пленка Mg2Si толщиной ~2.3 мкм была синтезирована методом реактивного осаждения Mg на Si (111) при температуре 340 °C в сверхвысоком вакууме. Фотоотклик структуры Шоттки Al/Si/Mg2Si представляет собой колоколообразную кривую с пиком при 1047 нм и интенсивностью 29 мА/Вт, 105 мА/Вт и 195 мА/Вт при смещении 0 В, 1 В и 5 В, соответственно, с шириной пика ~130 нм.