Исследование емкостных характеристик многослойных структур GaN/InP

В данной работе изучены дефектные состояния в многослойных структурах GaN/InP, выращенных методами плазмохимического атомно-слоевого осаждения (PEALD), для потенциального применения в высокоэффективных многопереходных солнечных элементах. Для характеризации дефектов в гетероструктурах использовались методы нестационарной спектроскопии глубоких уровней (DLTS) и спектроскопии полной проводимости. Спектры DLTS показали четко выраженный пик в температурном диапазоне 230−300 K, соответствующий дефектным состояниям с энергиями активации 0,46−0,58 эВ при различных напряжениях смещения (от 0 до +2 В и от -1 до 0 В). Спектроскопия полной проводимости подтвердила наличие аналогичных дефектов, продемонстрировав зависимость энергии активации от приложенного напряжения в диапазоне 0,36−0,57 эВ, вероятно, связанных с поверхностными состояниями на границе раздела GaN/InP.