Формирование черного кремния с использованием криогенного травления и слоя фоторезиста
Была проведена серия экспериментов по разработке технологии плазменного травления черного кремния через слой фоторезиста полидиметилглутаримида (PMGI). Кремниевые пластины предварительно подвергались жидкой химической обработке. Слой фоторезиста толщиной ~25 нм способствует процессу создания регулярных структур черного кремния на подложках диаметром 100 мм. Процесс травления проведен с вариаций соотношения газовой смеси гексафторида серы (SF6) и кислорода (O2), мощности радиочастотного излучения, подаваемого на держатель подложки (мощность смещения), мощности индуктивно-связанной плазмы (ИСП) и давления в камере. Увеличение мощности смещения с 10 до 30 Вт при прочих равных условиях увеличивает скорость травления. Снижение давления в реакторе с 10 до 5 мТорр при постоянном расходе газа приводит к увеличению скорости травления. Увеличение доли кислорода в газовой смеси SF6/O2 (2:1) усиливает пассивацию, уменьшая размер структур черного кремния.