Исследование формирования элементов терагерцовой фотоники методом плазменного травления

Физическая электроника
Авторы:
Климин В.С. Гусев Е.Ю. Поляков В.В. Тарасов П.А. Григорьев М.Н. Ван Шумен Ван Жаовэй Янг Лиюань Жан Вэй Агеев О.А.
Аннотация:

Основная задача представленного исследования заключалась в исследовании связи параметров процесса плазмохимического травления с геометрией структур, а именно: углом отклонения от вертикали, высотой элементов и отклонениями от номинальных размеров. Особое внимание уделялось влиянию концентрации активного газа, мощности индуктивно-связанного плазменного источника (ICP) и мощности емкостно-связанного источника (CCP, напряжение смещения) на геометрию структур. Созданные наноструктуры рассматриваются как потенциальные элементы терагерцовой фотоники метаповерхностей. Например, настройки процесса с мощностью ICP 400 Вт, объемной долей активного газа 7% и напряжением смещения 101 В позволили получить структуры высотой 136 нм, отклоняющиеся от заданных размеров лишь на 2% (соответствие 98%).