Проведена пассивация светочувствительной поверхности германия и антимонида галлия аморфным и поликристаллическим кремнием. С использованием Si-пленок изготовлены фотоэлектрические преобразователи  лазерного излучения для длины волны λ ~ 1550 нм. Предложенный способ позволяет достигать высоких значений выходных параметров и дает возможность укоротить технологический цикл изготовления  преобразователя по сравнению с двухстадийной диффузией в открытую поверхность.