Сверхтонкие пленки CoSi на подложке Si(111): сравнение стадий формирования в сверхвысоком вакууме и при отжиге в аргоне

Выявлены оптимальные условия формирования ультратонких пленок моносилицида кобальта (CoSi) на кремниевой подложке в процессе однократного отжига (Т = 500–600 °С) слоев хрома (2–10 нм), как в условиях сверхвысокого вакуума, так и в аргоновой среде при изохронных отжигах. Формирование фазового состава в ультратонких пленках CoSi однозначно контролируется in situ при росте в сверхвысоком вакууме по  появлению пика объемной плазменной частоты при 20,2–20,3 эВ в спектре ХПЭЭ, КРС пика при 198 (204) см^-1 при ex situ КРС исследованиях отжига в аргоновой среде (в вакууме) и характерных для CoSi оптических функций коэффициентов преломления и экстинкции и оптических фононов при 223,7, 302,5 и 418,6 см^-1. Установлено, что окисление пленок кобальта удобно контролировать при отжиге в среде аргона по появлению  КРС пиков при 187 см^-1 и 670–677 см^-1.