Формирование квантовых точек путем осаждения InGaAs на структурированную поверхность GaAs

В данной работе представлены результаты экспериментальных исследований процессов формирования и оптических свойств упорядоченных массивов наноструктур InGaAs, полученных методом осаждения слоя  материала квантовой ямы на структурированную поверхность GaAs. Для структурирования GaAs использовалась оригинальная методика на основе комбинации технологий сфокусированного ионного пучка и  локального капельного травления, которая позволяет формировать массивы углублений на поверхности с различной морфологией. Анализ карт распределения интенсивности фотолюминесценции (ФЛ) при  комнатной температуре показал, что материал квантовой ямы локализуется внутри сформированных на поверхности углублений. Было показано, что положение пика ФЛ локализованных наноструктур (960–970 нм) не  зависит от морфологии и определяется только химическим составом осажденного материала. Анализ спектров микрофотолюминесценции при 5 К показал, что внутри углублений квантовая яма распадается,  предположительно, из-за разницы в подвижности адатомов Ga и In при осаждении материала с образованием системы «квантовая яма + квантовая точка». При этом спектре ФЛ квантовой яме соответствует пик на  920 нм, а линии квантовых точек лежат в диапазоне длин волн 930–950 нм.