Влияние условий отжига на характеристики наноуглублений, формируемых фокусированными ионными пучками на поверхности GaAs(111)

В работе представлены результаты исследования влияния отжига подложек GaAs(111) при различных условиях на морфологические характеристики наноуглублений, формируемых фокусированными ионными  пучками. В отсутствие отжига и при отжиге в отсутствие потока мышьяка глубина и латеральный размер углублений возрастают с числом проходов ионного пучка. В случае отжига подложек в потоке мышьяка  зависимости глубины и латерального размера углублений от числа проходов немонотонны, что связано с конкуренцией процессов травления поверхности каплями галлия во время термического сгона окисла и  процессов кристаллизации капель в потоке мышьяка. Продемонстрированы технологические режимы, позволяющие формировать высокосимметричные наноуглубления в форме треугольных пирамид.